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imec宣布 High NA EUV 光刻技术重大突破！

比利时微电子研究中心（imec）日前发布重大消息，宣布其在高数值孔径极紫外曝光（High NA EUV）单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑，代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力，同时也强调了Imec在曝光微影技术研发

比利时微电子研究中心（imec）日前发布重大消息，宣布其在高数值孔径极紫外曝光（High NA EUV）单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑，代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力，同时也强调了Imec在曝光微影技术研发

国产进展：科益虹源（中科院背景）实现248nm KrF光源量产，福晶科技（LBO晶体）参与激光驱动技术。

台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。自2019年以来，台积电通过自身的系统级优化及自研EUV光罩保护膜（Pellicle，保护光罩的薄膜）材料，EUV生产晶圆产量累计增加30倍，同时

此前，业界也盛传台积电的3座8英寸（Fab 3/5/8）厂将进行整合，预估抽调2~3成员工，调派至南科、高雄厂区支援，解决缺人问题，以及精简成本与活化资产。

行业媒体 Digitimes 昨日（9 月 10 日）发布博文，报道称台积电确认将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务，关闭新竹科学园区的 6 英寸二厂，并整合 8 英寸三厂（Fab 3、Fab 5、Fab 8）。

但很多人可能不知道，光刻机只是“相机”，真正的底片是光刻胶。没有光刻胶，光刻机再强大，也拍不出清晰的芯片电路。过去很长一段时间，这个“隐形英雄”几乎被国外垄断。

近日，在2025集成电路（无锡）创新发展大会上，无锡市政府宣布启动两项半导体材料领域重大突破性项目，标志着中国在EUV光刻胶核心技术领域取得关键进展，有望打破国外长期垄断。

全球范围内，谁控制了光刻机，谁就掌握了芯片制造的咽喉。ASML控制着全球100%的EUV光刻设备出货量，它背后的供应链则被美国死死捏住了命门。

一位荷兰工程师举着显微镜头，反复核验“阿里山”ALD设备的参数面板，喃喃自语：“±0.3Å的膜厚控制？这不可能……”

在EUV（极紫外）光刻机中，锡靶是产生13.5nm极紫外光的核心材料。当高功率激光轰击液态锡滴时，锡原子电离形成等离子体并辐射EUV光。这一过程需每秒精准击打5万次锡滴，误差小于0.1微米，堪称“用激光击中高速飞行的子弹”。

晶圆代工龙头台积电高层主管透露，公司仍在评估何时在未来的制程中使用荷兰半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）微影设备。

由ASML打造的EUV光刻机是现代芯片不可或缺的重要生产工具。尤其是随着芯片工艺来到了3nm之后，EUV光刻的重要性与日俱增。ASML也通过提高NA的方式，引领EUV光刻机进入到High NA时代，以满足客户更严苛的需求。