外媒披露ASML秘辛真相，中国为何难复刻EUV，合作链成瓶颈
把一台极紫外光刻机从工厂运到客户厂房，就像一场大型物流行动。整台设备拆成几十个大箱，得用四十只货运集装箱，三架货机和二十辆卡车运送，运输路线、装卸步骤要事先规划好，每一步都要有备选方案，不然就可能耽误交期，单台机器买价比私人飞机还贵，卖价超三点五亿美元，在运输
euv
中国芯片取得重大技术突破，绕开EUV光刻机，ASML彻底傻眼了
中国半导体行业这些年一直被EUV光刻机卡脖子，这玩意儿是ASML的独门绝技，价格高得离谱，一台顶得上好几架飞机。结果，美国那边管制出口，中国企业拿不到手，只能想别的招儿。没想到，复旦大学的研究团队在2022年底就整出了个大新闻，他们在国际期刊上发论文，搞出一种
比EUV更强，又有公司开始研发X光刻机了？
当地时间10月28日，美国新创光刻设备厂商Substrate宣布，他们已开发出一款全新的光刻机，有能力与全球光刻机龙头大厂——荷兰ASML最先进的每台售价接近4亿美元的High NA EUV光刻机竞争。他们的终极目标是在美国建立晶圆代工业务，挑战台积电的地位，
EUV光刻机，正在被颠覆？
令人惊讶的是，芯片制造行业其实极易受到颠覆性变革的影响。现有企业的技术决策往往受惯性驱使，“我们一直都是这么做的”。他们最害怕的就是技术倒退。就连晶圆厂照明颜色这样简单的事情都无法改变：尽管晶圆厂会告诉你，传统的黄色灯光不会对光刻胶造成任何影响，但光刻生产线上
中国打造自己的EUV光刻胶规范
有个统一的测评规则，大家好办多了。现在不同实验室、不同厂家的测试方法五花八门，谁的数据能放一块儿比，常常比着来比着去没个准儿。这个标准一旦走完程序，按现在的节奏看，有望在2026年正式出来，对国产EUV光刻胶的研发和检验会起到挺实在的参照作用。
国产EUV光刻胶迎突破！首项标准公示带动板块
这消息一出，市场马上就有动静。到10月26日，披露三季报的那些跟光刻胶有关系的公司里，六家都交了“喜报”。像晶瑞电材，净利润比去年同期增长了超过192倍，听着就震惊；艾森股份股价也冲了个44.7%的涨幅。机构调研名单也在变，飞凯材料、广信材料这些名字开始常露脸
中国打造自己的EUV光刻胶标准！
电子发烧友网报道（文/黄山明）芯片，一直被誉为人类智慧、工程协作与精密制造的集大成者，而制造芯片的重要设备光刻机就是雕刻这个结晶的“神之手”。但仅有光刻机还不够，还需要光刻胶、掩膜版以及其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。
我国首个EUV光刻胶标准公示：半导体材料“卡脖子”环节迎破
10月23日，国家标准委网站一则公示信息，让国内半导体产业界为之振奋——我国首个《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》拟立项标准正式进入公示期，公示截止时间为11月22日。作为EUV光刻胶领域的首个国家标准，其背后不仅是技术标准化的突破，更意味着我国在半导体“卡脖
国产光刻突破！首个EUV光刻胶标准立项，北大实现分辨率优于5nm
另外在技术突破层面，本月早些时候，北京大学化学与分子工程学院团队，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，分辨率优于5纳米。
首个EUV光刻胶标准，立项！
近日，国家标准委网站公布，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟确立标准，自10月23日起公开征询意见，截止日期为11月22日。该标准由上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司共同
填补空白！EUV光刻胶标准立项，技术突破好消息不断（附股）
国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。
EUV再遭限制！ASML公布美国新规结果，中芯或收回12亿美元订单
“ASML把12亿美元定金退回来”这条消息刚蹦上热搜，有人欢呼“中国赢了”，也有人撇嘴“7纳米拿DUV硬啃，良品率才75%，赢个寂寞”。
456亿，10台EUV光刻机，美媒：世间再无“台积电”
这几年半导体行业闹得沸沸扬扬，尤其是中美之间那点事儿，直接把全球芯片供应链搅得天翻地覆。打从2020年起，美国就开始收紧出口管制，针对某些中国企业下手，目的就是卡住先进芯片技术的外流。
不依赖EUV的中国方案，二维芯片实现换道超车，30%市场要来了
在半导体领域，中国一直面临着国外技术封锁的困境，尤其是 EUV 光刻机的限制，让中国半导体产业的发展举步维艰。
中国研发EUV装置投入运行突破EUV光源垄断，自由电子激光打破僵局
光刻机核心光源技术正迎来一场革命，中国自主研发的自由电子激光路径，不仅绕开了西方二十年技术壁垒，更解决了困扰全球半导体行业多年的锡污染难题。
imec宣布 High NA EUV 光刻技术重大突破！
比利时微电子研究中心（imec）日前发布重大消息，宣布其在高数值孔径极紫外曝光（High NA EUV）单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑，代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力，同时也强调了Imec在曝光微影技术研发
imec宣布 High NA EUV 光刻技术重大突破
比利时微电子研究中心（imec）日前发布重大消息，宣布其在高数值孔径极紫外曝光（High NA EUV）单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑，代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力，同时也强调了Imec在曝光微影技术研发
EUV光刻机主要材料部件成本占比及涉及相关上市公司一文梳理
国产进展：科益虹源（中科院背景）实现248nm KrF光源量产，福晶科技（LBO晶体）参与激光驱动技术。
台积电持续提升EUV光刻效率，6年晶圆产量增加了30倍
台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。自2019年以来，台积电通过自身的系统级优化及自研EUV光罩保护膜（Pellicle，保护光罩的薄膜）材料，EUV生产晶圆产量累计增加30倍，同时
曝台积电大调整！重整6/8英寸厂，转自研EUV薄膜，涉及2~3成员工
此前，业界也盛传台积电的3座8英寸（Fab 3/5/8）厂将进行整合，预估抽调2~3成员工，调派至南科、高雄厂区支援，解决缺人问题，以及精简成本与活化资产。